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6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S35015HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
0
30
00.20.4
20
15
Pin, INPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 9. Pulsed Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
25
VDD
=32Vdc,IDQ
=50mA
Pulse Width = 100
μsec, Duty Cycle = 20%
10
3100 MHz --30_C
3300 MHz --30_C
3100 MHz 25_C
3500 MHz --30_C
3300 MHz 85_C
3300 MHz 25_C
3500 MHz 85_C
3100 MHz 85_C
3500 MHz 25_C
5
0.6 0.8
11
17
1
0
60
50
30
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 10. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power ? 3100 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
16
30
TC
=--30_C
85_C
40
15
14
25_C
VDD
=32Vdc,IDQ
= 50 mA, f = 3100 MHz
Pulse Width = 100
μsec, Duty Cycle = 20%
13
12
10
20
10
Gps
-- 3 0_C
85_C
ηD
12
18
1
0
60C
50
30
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 11. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power ? 3300 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
17
30
TC
=--30_C
85_C
40
16
15
VDD
=32Vdc,IDQ
= 50 mA, f = 3300 MHz
Pulse Width = 100
μsec, Duty Cycle = 20%
14
13
10
20
10
Gps
-- 3 0_
85_C
25_C
ηD
12
19
1
10
50
45
30
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 12. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power ? 3500 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
17
30
TC
=--30_C
85_C
40
16
15
VDD
=32Vdc,IDQ
= 50 mA, f = 3500 MHz
Pulse Width = 100
μsec, Duty Cycle = 20%
14
13
10
20
15
Gps
-- 3 0_C
85_C
25_C
ηD
18
11
25
35
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